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5月22日消息，綜合日經(jīng)新聞、路透社、《日經(jīng)xTECH》報(bào)導(dǎo)，日本芯片大廠瑞薩社長兼CEO柴田英利于19日在線上舉行的戰(zhàn)略說明會上表示，將自今年起開始投資SiC功率半導(dǎo)體，目標(biāo)在2025年開始進(jìn)行量產(chǎn)。

據(jù)介紹，瑞薩將利用旗下目前已生產(chǎn)硅制功率半導(dǎo)體的高崎工廠的6吋晶圓產(chǎn)線進(jìn)行生產(chǎn)，以應(yīng)對隨著電動車（EV）普及，帶動節(jié)能性能優(yōu)異的SiC功率半導(dǎo)體今后需求有望顯著增長。瑞薩在去年11月就表明要進(jìn)軍SiC功率半導(dǎo)體市場，此次則是首度明確說明投資戰(zhàn)略。

瑞薩目前采取的生產(chǎn)策略是先進(jìn)邏輯芯片等產(chǎn)品委外由晶圓代工廠生產(chǎn)，而易于采用自家技術(shù)的功率半導(dǎo)體則靠自家工廠生產(chǎn)。而除了SiC外，瑞薩也將對現(xiàn)行電動車采用的硅制IGBT等功率半導(dǎo)體進(jìn)行積極投資，于2014年關(guān)閉的甲府工廠預(yù)計(jì)將在2024年上半年重新啟用，將生產(chǎn)硅制功率半導(dǎo)體。

在SiC功率半導(dǎo)體市場上，瑞士ST Microelectronics、德國英飛凌（Infineon）、日本三菱電機(jī)等廠商也正致力于投資，瑞薩可說是起步比較慢。

柴田英利表示，“在功率半導(dǎo)體上、我們起步非常慢。例如電動汽車用IGBT現(xiàn)在的市占率預(yù)計(jì)為10%左右。但甲府工廠開始生產(chǎn)的話，（市占率）將可增至2倍、3倍。”

柴田英利自信的表示，“客戶對瑞薩IGBT的評價(jià)非常高、會將這些評價(jià)延用至SiC事業(yè)上。現(xiàn)在SiC市場仍小，但將來毫無疑問的會變得非常大。客戶對瑞薩SiC產(chǎn)品的詢問，即便是（尚未生產(chǎn)的）現(xiàn)在也非常強(qiáng)勁，2025年開始生產(chǎn)的話，事業(yè)將可順利進(jìn)行。”

和硅制功率半導(dǎo)體相比，SiC功率半導(dǎo)體擁有更優(yōu)異的耐熱/耐壓性，電力耗損少，幫幫助電動車提高續(xù)航距離，而除了電動車外，來自蓄電池等再生能源領(lǐng)域的需求也看漲。

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編輯：芯智訊-林子 來源：MoneyDJ

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